收藏本页 | 设为主页 | 网站首页  免费开通企业商铺

湖北弘楚强夯基业建设有限公司

强夯施工,强夯地基,强夯工程,基础强夯

 

网站公告
“真诚合作,精益求精,诚信,优质,高效,努力打造强夯第一品牌”是我们的宗旨,立足点高,追求卓越,以最合理的成本,铸造最精品的工程。欢迎广大客户前来洽谈业务,共创辉煌!期待与您合作,共赢电话:13803543468 曾经理
产品分类
站内搜索
 
荣誉资质
友情链接
112212开奖现场
王中王493333免提网站双极型晶体管的参数符号和中文意义详细对比
发布时间:2020-01-31        浏览次数:        

  Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

  Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流

  Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值

  rbbCc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

  roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

  VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

  VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

  VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

  VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)

  Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

  学单片机其实并不是很难,很多人在学习单片机的时候觉得很难主要还是没有掌握学习方法,不知道该如何下手,....

  从电路中还可以看出,3只二极管上没有加入交流信号电压,因为在VD1正极即电路中的A点与地之间接有大容....

  虽然市面上适用于随身听稳压电源比较多,但是很多质量都不怎么好,所以很有必要自己做一个。

  随着半导体工艺技术步入纳米阶段,在单一芯片中集成上亿晶体管已经成为现实,据ITRS(Internat....

  电路保护元器件应用领域广泛,只要有电的地方就有安装电路保护元器件的必要,如各类家用电器、家庭视听及数....

  首先,根据导电能力,各种材料可分为导体、绝缘体和半导体。善于传导电流的物质称为导体,不善于传导电流的....

  摩尔定律指出,每隔18~24个月,同样计算力的芯片可以用一半左右的价格买到,这是通过在同样的芯片面积....

  它能将100~270V电压自动调节在180~240V之间,适用电网电压不稳定地区家庭中的电视机、电冰....

  假设负载电流因电感足够大而平直,当电源u业正半波,在or=o时触发,VT1后VT1、VT2导通,电流....

  今年的iPhone 12系列依然有不少看点,比如首次支持5G网络、后置四摄(加入ToF)、搭载5nm....

  目前发光二极管驱动芯片按类型可分为:恒压式驱动芯片、恒流式驱动芯片以及脉冲式驱动芯片。

  EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈....

  功耗一般由两部分组成:静态功耗和动态功耗。静态功耗也称为待机功耗,是指逻辑门没有开关活动时的功率消耗....

  目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了....

  本书适合作为模电翻转课堂和电子设计竞赛培训的教材,立足于电子系统设计,基于TI模拟技术及MCU平台,....

  射频功率放大器在通信系统中已经得到大量应用,在实现信号放大功能中属于关键性构成组件部分。研制射频功率....

  稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要....

  紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管(LED)。紫外光通常是用作识别钞票是....

  近日,中科院对外宣布,中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺....

  GP2Y1010AUOF 是日本夏普公司开发的一款光学灰尘浓度检测传感器。此传感器内部成对脚分布的红....

  一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显....

  交流发电机端电压受转速和负载变化的影响较大,因此必须配用电压调节器来控制电压。电压调节器的功用是:在....

  MOSFET是场效应管,是一种压控型半导体器件,具有三个电极,分别为漏极、源极和栅极,有NMOS和P....

  三极管是一种流控型器件,具有三个电极,分别为基极、集电极和发射极。通过基极微小的电流可以驱动集电极和....

  Sharp‘s GP2Y1010AU0F 是一款光学空气质量传感器,设计用来感应空气中的尘埃粒子,其....

  点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。

  该话筒采用直接调频方式,中心频率为90MHz,发射功率约0.5W,最大频偏士50kHz,发射距离不小....

  本文档的主要内容详细介绍的是DCDC变流电路的学习教程课件免费下载包括了:1 基本斩波电路 ,2 复....

  本文档的主要内容详细介绍的是电力电子器件的学习课件免费下载包括了:1 电力电子器件概述,2 不可控器....

  MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(M....

  绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会....

  1.对比不同的IGBT的参数,例如同一品牌的不同系列的产品的参数,或者是不同品牌的IGBT的性能。

  近年来随着无线通信的迅速发展,现代通讯系统对发射机的要求越来越高,射频功率放大器作为发射机的重要部件....

  开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时间叫反向恢复时间;两....

  作为中国半导体行业最薄弱但也是最重要的环节,芯片工艺一直是国内的痛点,所以国内最大的晶圆代工厂中芯国....

  本产品属于表面贴装全彩器件,采用外黑内白设计,高对比度,哑光封装,无镜面反射。拥有多重防水功能,高可....

  TRENCHSTOP™ IGBT7采用EconoDUAL™ 3封装带来出色的900 A额定电流

  针对工业驱动应用的技术需求,在最新一代模块中,与IGBT7搭配使用的续流二极管(FWD),也已进行了....

  光收发器符合小型可插拔(SFP)多源协议(MSA)和SFF-8472。它提供了以前不可用的系统成本、....

  PLC模块的DO输出点,一般可以分为晶体管输出的和继电器输出的,比如西门子200的SR20和ST20....

  新手求助,请问这个是什么二极管?怎么查不到相关资料,能用什么其他的型号代替?感谢!...

  报道称,与三星电子的5nm工艺相比,3nm制程能将芯片尺寸缩小35%,功耗降低50%,性能提升30%....

  本文档的主要内容详细介绍的是SPTECH硅NPN功率晶体管2KW8629的数据手册免费下载。

  打开电源开关,指示灯亮,按二次开机指示灯熄灭,同时送出开机信号(5V左右的高电平)到电源板开机控制电....

  1、 正激式整流电路:T1 为开关变压器,其初极和次极的相位同相。D1 为整流二极管,D2 为续流二....

  本文档的主要内容详细介绍的是3A和S3M型贴片二极管的数据手册免费下载。

  咨询一下大神 步降压IC,sot23-6封装,输入<30V 输出 5V 电流小于2A

  步降压IC,sot23-6封装,输入<30V输出 5V 电流小于2A的有型号能配对上吗,请大神指教 ...

  半导体激光驱动电路是激光引信的重要组成部分。 根据半导体激光器特点, 指出设计驱动电路时应当注意的问....

  1977年在日本厚木的富士通实验室担任电子工程师时,IEEE终身Fellow三村隆史(Takashi....

  定向耦合器是微波系统中应用广泛的一种微波器件,它的主要功能是将微波信号按一定的比例进行功率分配。定向....

  大师们:逆变焊机快恢复二极管MM60F060能用MM80FU040代换吗?

  有没有过大电流6A的贴片二极管介绍,散热比较好的那一种,双面板能受的温度下 ...

  您可以在此布局上构建大的Muff Pi及其许多变体。如果使用非极化电容器,则可以忽略极化电容器的标记....

  将交流转换为直流的过程就是我们常说的整流。任何隔离式电源都有着整流模块,可以将壁式插座中的交流转为高压直流,或是降压交流...

  导语 ■ 二极管的单向导通性、大于某电压就导通等基本特性我们非常熟悉,但是随着工作的深入会发现仅知道这些是不够的,特别是...

  图中的红圈内的二极管是干什么的,cs1,ce1是自举电容吗,cy1,cy2,是干什么的?

  液晶电视驱动电压达到1000V以上,想知道液晶都是用二极管串联起来的吗?不采用并联方式是为了降低电流?减少发热? ...

  列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...

  定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...

  固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...

  0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...

  MC79L 线负线性稳压器是一款价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA电流的众多应用。与功率更高的MC7900系列负调节器一样,该线性稳压器具有热关断和电流限制功能,使其非常坚固耐用。在大多数应用中,无需外部元件即可运行。 MC79L00线性稳压器适用于卡上调节或需要适度电流水平的稳压负电压的任何其他应用。与常见的电阻/齐纳二极管方法相比,该稳压器具有明显的优势。 规格: MC79L00AB MC79L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C到+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92 特性 无需外部组件 内部短路电流限制 内部热过载保护 低成本 提供的互补正稳压器(MC78L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...

  MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

  8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。王中王493333免提网站。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...

  固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...

  MC78L 线A系列线性稳压器是价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA稳压电源的众多应用。与其更高功率的MC7800和MC78M00系列同类产品一样,这些稳压器具有内部限流和热关断功能,使其非常坚固耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管 - 电阻器组合相比,这些线性稳压器具有显着的性能优势,因为输出阻抗和静态电流显着降低。 规格: MC78L00AB MC78L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92,SOT -89 特性 广泛的可用固定输出电压 低成本 内部短路电流限制 内部热过载保护 无需外部组件 互补提供负调节器(MC79L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...

  10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...

  8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流

  150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...

  10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...

  NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

  5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...

  3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...

  155将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302155集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达55A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V核DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...

  151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 精确电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...

  055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...

  0 / MC78M00A正线系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:

  2是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 工厂可编程 灵活性 4.8 V至45 V操作 使用反极性保护二极管通过起动和负载转储进行操作 -40 C至150 C操作 汽车级 双功能启用/同步引脚 紧凑SOIC8包中的额外功能 应用 终端产品 仪表盘 引擎集群 启动/停止应用程序 导航 LED背光 汽车应用 电路图、引脚图和封装图...

  NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

  74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

?